Tip 105 datasheet
Tip102 pinout
DIM. mm inchMIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.A 4,40 4,60 0,173 0,181C 1,23 1,32 0,048 0,052D 2,40 2,72 0,094 0,107E 0,49 0,70 0,019 0,027F 0,61 0,88 0,024 0,034F1 1,14 1,70 0,044 0,067F2 1,14 1,70 0,044 0,067G 4,95 5,15 0,194 0,202G1 2. 40 2,70 0,094 0,106H2 10,00 10,40 0,394 0,409L2 16,40 0,645 L4 13,00 14,00 0,511 0,551L5 2,65 2,95 0,104 0,116L6 15,25 15,75 0,600 0,620L7 6,20 6,60 0,244 0,260L9 3,50 3,93 0,137 0,154M 2,60 0,102DIA. 3,75 3,85 0,147 0,151P011CITO-220 DACTILOSCÓPICOS MECÂNICOS1054/5
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Dica125g folha de dados
TIP100/TIP102TIP105/TIP106/TIP107 TRANSISTORES DE SILÍCIO COMPLEMENTAR POWERDARLINGTON SGS-THOMSON TIPOS DE VENDA COMPLEMENTARES PNP – NPN DISPOSITIVOS INTEGRADOS ANTIPARALLELCOLLECTOR- DIODEAPLICAÇÕES DE EMISSORES LINEARES E EQUIPAMENTOS INDUSTRIAIS DE SUBSTITUIÇÃO32DESCRIÇÃO1Os TIP100 e TIP102 são transistores de potência em base de silicone epitaxialNPN em monolítico DarlingtonTO-2200. 2. Tip105.pdf Tamanho:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP105DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -3AFE CCollector-Emissor Sustentando Tensão-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Baixa Tensão de Saturação do Coletor-Emissor-: V = -2.0V(Max)@ I = -3ACE(sat) C= -2.5V(Max)@ I = -8ACComplemento do Tipo TIP100V(Max)@ Variações Mínimas de Lote para Lote para Lote para Desempenho robusto e re 9.1. tip100re.pdf Tamanho:218K _motorola
Encomende este documentoMOTOROLAby TIP100/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPlastic Medium-PowerNPNTIP100Transistores de silício complementares. . projetado para amplificador de uso geral e baixo sp9.2. tip102.pdf Tamanho:51K _fairchild_semi
Tip102 folha de dados
DESCRIÇÃO Trata-se de um transistor PNP Epitaxial à base de silício em configuração monolítica Darlington montado em embalagem plástica TO-220 destinada ao uso em aplicações lineares e de comutação de energia. O tipo NPN complementar preferido é o TIP102.
Símbolo V CBO V CEO V EBO IB P tot T stg Tj Parâmetro Tj Tensão Base do Coletor = 0) Tensão Base do Emissor = 0) Tensão Base do Emissor = 0) Tensão Base do Coletor de Corrente de Pico de Corrente do Coletor de Corrente Total Dissipação de Corrente em caixa T 25 amb 25 C Temperatura de Armazenamento Máx. Valor da temperatura da junção de operação até 150 Unidade
O produto é pré-selecionado no ganho atual DC (Grupo R, Grupo O e Grupo Y). A STMicroelectronics se reserva o direito de enviar qualquer um dos grupos de acordo com a disponibilidade de produção. Favor entrar em contato com o escritório de vendas da STMicroelectronics mais próximo para obter os dados de entrega.
NAND128R3AV1 : Memória Flash NAND – NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page é Afamily of Non-volatile Flash Memories That Usesnand Cell Technology. Os dispositivos variam de 128Mbits a 1Gbit e operam com uma fonte de tensão de 1,8V ou 3V. O tamanho de uma página é de 528 Bytes (512
Tip102 transistor
Se você não conseguir encontrar o transistor TIP107, então você também pode usar seus números de peça exatamente iguais, que são TIP105 e TIP106. A única grande diferença entre eles é a tensão Collector-Emitter. O TIP105 tem tensão coletor-emissor de 60V e o TIP106 tem tensão coletor-emissor de 80V, portanto se seu circuito funciona abaixo de 60V você pode facilmente substituí-lo por TIP105 e TIP106 e se seu circuito funciona abaixo de 80V você pode substituí-lo por TIP106. Outros equivalentes são 2N6042, TIP34C, TIP607, 2SB712, 2SB1020, BDW74C e MJE1093.
O TIP107 é um transistor PNP darlington disponível no pacote TO-220. Antes de iniciar a discussão sobre o TIP107 é essencial para obter algum conhecimento sobre o que é um transistor darlington. Um transistor darlington é um transistor constituído internamente de dois transistores em um único pacote de transistores que estão conectados de uma forma especial, o que resulta no aumento do ganho muitas vezes em comparação com um único transistor. O TIP107 também tem um ganho de 1000 a 20.000. A corrente máxima coletora do transistor é de -8A e a tensão máxima coletor-emissor é de -100V. O valor da corrente coletora de um transistor determina quanta carga este transistor pode suportar e o valor da tensão coletor-emissor determina quanta tensão de carga um transistor pode suportar. Portanto, como a corrente do coletor acima e o valor da tensão do coletor-emissor acima, este transistor é capaz de conduzir uma carga de até -8A e a tensão da carga pode ser de até -100V, mas uma coisa deve ser levada em conta: a corrente de carga de -8A e a tensão de carga de 100V são os valores máximos absolutos, os valores máximos absolutos são os valores máximos que um transistor pode suportar, mas também fornecem tensão no transistor e podem afetá-lo a longo prazo, portanto, é sempre melhor usá-lo abaixo de suas classificações máximas absolutas.
