Tabela de equivalencia de transistores mosfet
Tabela de equivalencia de transistores mosfet online
Além do Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET), há outro tipo de Transistor de Efeito de Campo disponível cuja entrada de Gate é isolada eletricamente do canal principal de transporte de corrente e, portanto, é chamado de Transistor de Efeito de Campo de Gate Isolado.
O IGFET ou MOSFET é um transistor de efeito de campo controlado por tensão que difere do JFET por ter um eletrodo de porta “Óxido Metálico” que é isolado eletricamente do canal n do semicondutor principal ou do canal p por uma camada muito fina de material isolante geralmente dióxido de silício, comumente conhecido como vidro.
Este eletrodo de porta metálico ultra fino isolado pode ser pensado como uma placa de um condensador. O isolamento da porta de controle torna a resistência de entrada do MOSFET extremamente alta na região Mega-ohms ( MΩ ), tornando-a assim quase infinita.
Como o terminal do portão é isolado eletricamente do canal principal de transporte de corrente entre o dreno e a fonte, “NO current flow into the gate” e assim como o JFET, o MOSFET também atua como um resistor controlado por tensão onde a corrente que flui através do canal principal entre o dreno e a fonte é proporcional à tensão de entrada. Também como o JFET, os MOSFETs de alta resistência de entrada podem facilmente acumular grandes quantidades de carga estática resultando em que o MOSFET fique facilmente danificado, a menos que seja cuidadosamente manuseado ou protegido.
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MOSFETMOSFET, mostrando terminais de portão (G), corpo (B), fonte (S) e dreno (D). O portão é separado do corpo por uma camada isolante (rosa). princípio de funcionamentoSemicondutorInventado1959Primeira produção1960Pin configurationgate (G), corpo (B), fonte (S) e dreno (D)
O transistor de efeito de campo metal-oxido-semicondutor (MOSFET, MOS-FET ou MOS FET), também conhecido como transistor metal-oxido-silício (transistor MOS, ou MOS)[1], é um tipo de transistor de efeito de campo isolado que é fabricado pela oxidação controlada de um semicondutor, tipicamente silício. A tensão da porta coberta determina a condutividade elétrica do dispositivo; esta capacidade de mudar a condutividade com a quantidade de tensão aplicada pode ser usada para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.
O MOSFET foi inventado por Mohamed M. Atalla e Dawon Kahng no Bell Labs em 1959, e apresentado pela primeira vez em 1960. É o componente básico da eletrônica moderna, e o dispositivo mais freqüentemente fabricado na história, com um total estimado de 13 sextilhões (1,3×1022) MOSFETs fabricados entre 1960 e 2018[2]. É o dispositivo semicondutor dominante nos circuitos integrados digitais e analógicos (ICs)[3], e o dispositivo de potência mais comum[4]. É um transistor compacto que foi miniaturizado e produzido em massa para uma ampla gama de aplicações, revolucionando a indústria eletrônica e a economia mundial, e sendo central para a revolução digital, a era do silício e a era da informação. A escala MOSFET e a miniaturização têm impulsionado o rápido crescimento exponencial da tecnologia de semicondutores eletrônicos desde os anos 60, e permite a utilização de circuitos integrados de alta densidade, como chips de memória e microprocessadores. O MOSFET é considerado o “cavalo de batalha” da indústria eletrônica.
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Quando se trabalha com equipamentos eletrônicos, seja no projeto, construção ou reparo de circuitos eletrônicos, às vezes é necessário escolher um transistor substituto. Ou o tipo de transistor pode não estar à mão, ou pode não estar disponível.
Felizmente, normalmente é possível usar um tipo de transistor de substituição, pois muitas vezes há um grau considerável de sobreposição entre as especificações de diferentes tipos de transistor, e olhando para as especificações básicas é normalmente possível escolher as substituições corretas de transistor.
Esta explicação está focada nos transistores bipolares, mas é possível aplicar uma lógica similar a outros componentes eletrônicos, incluindo transistores de efeito de campo, para garantir que as substituições adequadas possam ser encontradas.
Ao procurar por substitutos de transistores adequados, é necessário observar as principais especificações para o transistor. Uma vez estabelecidas as especificações e parâmetros do transistor, é possível verificar outros tipos de transistor de substituição com parâmetros similares que poderão operar dentro do circuito em questão.
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A idéia geral é usar duas voltagens diferentes para representar a voltagem binária (1) e a voltagem binária (0), por exemplo, podemos usar uma voltagem alta, digamos, +2. 5 volts, para representar a voltagem binária (1) e uma voltagem baixa, digamos 0,0 volts, para representar a voltagem binária (0,0 texto).
O dispositivo básico de comutação nos circuitos lógicos dos computadores atuais é o transistor de efeito de campo metal-oxido-semicondutor (MOSFET). Existem vários tipos diferentes de MOSFETs, utilizando diferentes níveis de tensão e polaridades. Este é um livro sobre computadores digitais, por isso vou discutir apenas o comportamento de comutação do MOSFET e usarei {0}binário e {1}binário para indicar o estado da comutação. Deixarei as distinções entre os diferentes tipos para que engenheiros e físicos discutam. A Figura 6.2.1 mostra um NOT gate implementado com um único canal N MOSFET.
Figura 6.2.1. Um único interruptor transistor MOSFET de canal N. Você pode pensar nele como um dispositivo de três terminais. O terminal de entrada é chamado de portão. O terminal conectado à saída é o dreno, e o terminal conectado à tensão que representa a fonte lógica (binária (0)). O dreno é conectado à voltagem que representa a voltagem lógica (1) através de um resistor, R.
